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上海大革成功开发导电型4H4寸碳化硅衬底

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-11-30 08:46   来源:21世纪经济报道  浏览次数:439
   2018年11月,第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)理事单位上海大革智能科技有限公司曹祐铭执行官,代表公司向国内半导体行业宣布上海大革成功开发出4H导电型碳化硅4寸衬底。这标志着上海大革智能科技有限公司自2015年启动的碳化硅长晶及切磨抛项目,经过技术团队反复的工艺验证,取得了第一阶段的成果。
上海大革成功开发导电型4H4寸碳化硅衬底
  2016年初,上海大革智能科技有限公司曹祐铭执行官,看到国内第三代半导体产业有着巨大的市场与发展潜力,决定正式启动宽禁带半导体材料碳化硅单晶的合成与加工项目。
 
  项目成立初期,曹祐铭执行官用巨资获得了日本主要的碳化硅长晶设备厂家日新技研的技术指导,并且派遣技术团队在日本学习碳化硅晶体合成技术。同时,上海大革获得了日新技研的授权,成为中国唯一一家可以利用日新技研的技术专利与设备图纸,在中国国内生产日新技研碳化硅单晶合成设备的企业。
上海大革成功开发导电型4H4寸碳化硅衬底
  上海大革智能科技有限公司在技术增长同时也是共同创办人冯恒毅先生的带领下,以日新技研的碳化硅长晶技术为基础,同时又获益与日新技研碳化硅单晶合成炉稳定的设备性能,使得碳化硅单晶合成技术得到了显着的提高。
 
  目前,上海大革已经具备可以利用日新技研碳化硅单晶合成炉,生产4寸导电型碳化硅晶体,有效高度达到20mm。上海大革智能科技有限公司的第一批碳化硅芯片已经完成加工,送往国内外的外延与器件厂家验证。
上海大革成功开发导电型4H4寸碳化硅衬底
  目前正在积极的与地方政府及半导体产业投资公司沟通交流,以期待尽快实现碳化硅单晶合成设备的产业化。公司计划首期产业化的投资在人民币2亿以内,达到在碳化硅衬底片的量产的同时,实现碳化硅长晶设备的销售。公司预计未来碳化硅晶体做为第三代半导体材料,随着全世界对于高效能源的关注,将获得非常巨大设备市场与衬底市场。
 
  同时,上海大革智能科技有限公司也积极布局产业链下游应用的研发。公司已经启动3300V碳化硅器件的研发,未来将应用于国家电网、中车、南方电网等企业。同时,上海大革智能科技有限公司还将在固态变压器领域布局,为未来的电力输送,电能转换存储及智能电网提供技术支持。
 
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